近日，合肥综合性国家科学中心能源研究院智慧电力中心在国产车规级功率模块的开发方面取得了显著进展。此次开发的这版功率模块在现有技术基础上进行了优化改进，搭载了国产1200V SiC MOSFET低损耗芯片，并结合了多项先进封装技术，力求在性能和可靠性上达到国内外先进水平。

该模块采用了业内领先的有压型银烧结工艺，高性能铜线键合技术以及一体塑封成型工艺，确保了模块的高导电性和结构稳定性。此外，模块使用了高导热率氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷型PinFin设计，大幅提升了散热效率。同时采用三端子设计形式，减少回路寄生电感以及实现支路寄生电感的均衡性。所开发的样品展示出多项卓越性能，包括低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度以及高可靠性。其设计允许模块具备更高结温下工作的潜力，显著提高了电流输出能力和功率密度，为未来的高性能车规级应用提供了坚实保障。

此次进展标志着智慧电力中心功率半导体研发团队在面向实际产品的开出上迈出了重要一步。不仅有助于提升国产功率半导体的竞争力，还为新能源汽车和智慧电力领域的发展注入了新的动力。

 DCM功率模块